Wafer de silício fino
Nossos wafers finos de silício são projetados para aplicações que exigem substratos de silício ultrafinos, com espessuras tão baixas quanto 80μm a 200μm. Esses wafers são ideais para eletrônicos flexíveis, sensores e outras tecnologias de ponta que exigem flexibilidade e alto desempenho. A espessura desses wafers permite uma leve flexão sem comprometer a integridade estrutural, tornando-os adequados para aplicações inovadoras em pesquisa e fabricação avançada.
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Introdução de Produto
Visão geral do produto
Nossos wafers finos de silício são projetados para aplicações que exigem substratos de silício ultrafinos, com espessuras tão baixas quanto 80μm a 200μm. Esses wafers são ideais para eletrônicos flexíveis, sensores e outras tecnologias de ponta que exigem flexibilidade e alto desempenho. A espessura desses wafers permite uma leve flexão sem comprometer a integridade estrutural, tornando-os adequados para aplicações inovadoras em pesquisa e fabricação avançada.
Principais recursos
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Espessura Ultrafina |
Disponível em 80μm a 200μm, fino o suficiente para permitir flexibilidade e flexão |
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Orientação Cristalina |
<100>, <111>, <110> |
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Diâmetros Disponíveis |
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas |
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Notas de qualidade |
Prime / Teste / Manequim |
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Métodos de crescimento |
CZ (Czochralski) / FZ (zona flutuante) |
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Tipos de dopantes |
Tipo P (Boro), tipo N (Fósforo, Arsênico, Antimônio) ou não dopado |
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Acabamentos de Superfície |
P/E (polido/gravado), P/P (polido/polido) |
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Variação Total da Espessura (TTV) |
Padrão < 10 μm; Avançado <5 μm |
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