Núcleo de wafer de silício
Nosso núcleo de wafer de silício garante a estabilidade do material.
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Introdução de Produto
Núcleo de wafer de silício
Nossas soluções de wafer de silício são arquitetadas a partir do nível atômico, utilizando tecnologias avançadasCzochralski (CZ)eZona Flutuante (FZ)metodologias de crescimento de cristais para garantir uma estrutura de rede ultra-pura e{1}}livre de defeitos. Apoiando todo o espectro industrial de2 polegadas (50 mm) a 12 polegadas (300 mm), esses substratos servem como hospedeiros de alta-integridade para crescimento epitaxial complexo e implantação de íons-de altas doses.
Mantemos um limite agressivo para o conteúdo intersticial de oxigênio e carbono, o que é fundamental para garantir a estabilidade térmica e evitar a precipitação durante os ciclos mais voláteis de recozimento de alto-vácuo. Ao otimizarplanicidade global e{0}}específica do site (TTV e SFQR), nossos wafers facilitam uma profundidade-de{1}}foco (DOF) expandida em fotolitografia sub{2}}mícron avançada, correlacionando-se diretamente a um aumento significativo no rendimento final do dispositivo.
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