Wafer de silício altamente dopado
Nossos wafers de silício altamente dopados são projetados para aplicações que exigem baixa resistividade e condutividade elétrica aprimorada. Ao introduzir uma alta concentração de elementos dopantes, como Boro (tipo P) ou Fósforo (tipo N), esses wafers alcançam resistividade significativamente reduzida, tornando-os ideais para componentes eletrônicos avançados, dispositivos de energia e circuitos de alto desempenho.
- Entrega rápida
- Garantia da Qualidade
- Atendimento ao cliente 24 horas por dia, 7 dias por semana
Introdução de Produto
Visão geral do produto
Nossos wafers de silício altamente dopados são projetados para aplicações que exigem baixa resistividade e condutividade elétrica aprimorada. Ao introduzir uma alta concentração de elementos dopantes, como Boro (tipo P) ou Fósforo (tipo N), esses wafers alcançam resistividade significativamente reduzida, tornando-os ideais para componentes eletrônicos avançados, dispositivos de energia e circuitos de alto desempenho.
Principais recursos
|
Baixa resistividade |
Nossos wafers altamente dopados oferecem resistividade extremamente baixa, dependendo da concentração do dopante, normalmente variando de {{0}} 0,001 ohm-cm a 0,1 ohm-cm para aplicações do tipo P e do tipo N. |
|
Tipos de dopantes |
• Tipo P: Boro (para portadores de carga positiva) • Tipo N: Fósforo, Arsênico, Antimônio (para portadores de carga negativa) |
|
Orientação Cristalina |
<100>, <111>, <110>(orientações personalizadas disponíveis) |
|
Diâmetros Disponíveis |
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas |
|
Notas de qualidade |
Prime / Teste / Manequim |
|
Métodos de crescimento |
CZ (Czochralski) / FZ (zona flutuante) |
|
Opções de espessura |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, com espessuras personalizadas disponíveis |
|
Acabamentos de Superfície |
P/E (polido/gravado), P/P (polido/polido), E/E (gravado/gravado) |
|
Variação Total da Espessura (TTV) |
Padrão < 10 μm; Avançado <5 μm |
|
Arco/Urdidura |
Padrão < 40 μm; Avançado <20 μm |
Tag: wafer de silício altamente dopado, fabricantes, fornecedores, fábrica de wafer de silício altamente dopado na China
