Lingote de silício com baixo-oxigênio para epitaxia e litografia avançada
Fabricado especificamente para plataformas de wafer-prontas para epitaxia, esse lingote de silício com baixo-oxigênio minimiza a precipitação de oxigênio, evitando o estresse do cristal durante o crescimento epitaxial de DCV.
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Introdução de Produto
Lingote de silício com baixo-oxigênio para epitaxia e litografia avançada
Fabricado especificamente para plataformas de wafer-prontas para epitaxia, esse lingote de silício com baixo-oxigênio minimiza a precipitação de oxigênio, evitando o estresse do cristal durante o crescimento epitaxial de DCV. A concentração controlada de oxigênio melhora o comportamento de obtenção, aumentando o rendimento do dispositivo para chips lógicos em nanoescala, unidades de aceleração ASIC e processadores de computação de IA. Ele oferece excelente estabilidade em ambientes de plasma de alta{4}}energia e câmaras de oxidação térmica, suportando fornos em lote e sistemas RTP de-wafer único. A excelente uniformidade dielétrica e planicidade do wafer do lingote permitem uma tolerância de alinhamento mais precisa para litografia avançada, incluindo nós baseados em EUV-. Ideal para fábricas que buscam migração de longo-prazo para processamento abaixo de 3 nm.
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